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SI7922DN-T1-E3 - 

SI7922DN-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Module, 1.8 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212

Siliconix / Vishay SI7922DN-T1-E3
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
制造商產(chǎn)品編號(hào)：
SI7922DN-T1-E3
倉庫庫存編號(hào)：
70026293
技術(shù)數(shù)據(jù)表：
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SI7922DN-T1-E3
库存编号:SI7922DN-T1-E3DKR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212281
1起订		1+
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SI7922DN-T1-E3
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1000+
￥31.15
￥20.02
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SI7922DN-T1-E3
库存编号:SI7922DN-T1-E3TR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 12120
3000起订		3000+
6000+
￥9.01
￥8.88
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SI7922DN-T1-E3
库存编号:781-SI7922DN-T1-E3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81064
1起订		1+
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1000+
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6000+
￥29.55
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SI7922DN-T1-E3
库存编号:SI7922DN-T1-E3		 Vishay Intertechnologies Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7922DN-T1-E3)0
3000起订		3000+
6000+
12000+
18000+
24000+
￥9.17
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￥8.73
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(工作日)		 操作
SI7922DN-T1-E3
库存编号:SI7922DN-T1-E3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-80
3000起订		3000+
6000+
￥9.83
￥9.63
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SI7922DN-T1-E3產(chǎn)品概述

Features:
  • Halogen-Free Option Available
  • Low-Side Switching
  • Low On-Resistance: 5 Ω
  • Low Threshold: 0.9 V (Typ.)
  • Fast Switching Speed: 35 ns (Typ.)
  • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
  • ESD Protected: 2000 V

    Applications:
  • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
  • Battery Operated Systems
  • Power Supply Converter Circuits
  • Load/Power Switching Cell Phones, Pagers

    • SI7922DN-T1-E3產(chǎn)品信息

      Brand/Series  SI79 Series  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Dual Gate, Dual Source, Quad Drain  
      Current, Drain  1.8 A  
      Dimensions  3.15 x 3.15 x 1.07 mm  
      Gate Charge, Total  5.2 nC  
      Height  0.042" (1.07mm)  
      Length  0.124" (3.15mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  2  
      Number of Pins  8  
      Package Type  PowerPAK-SO-8  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  1.3 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.23 Ω  
      Temperature, Operating  -55 to 150 °C  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Thermal Resistance, Junction to Ambient  77 °C/W  
      Time, Turn-Off Delay  8 ns  
      Time, Turn-On Delay  7 ns  
      Transconductance, Forward  5.3 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  5.2 nC @ 10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
      Voltage, Drain to Source  100 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.124" (3.15mm)  
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Vishay Dimensions 3.15 x 3.15 x 1.07 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.15 x 3.15 x 1.07 mm  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Dimensions 3.15 x 3.15 x 1.07 mm   Gate Charge, Total 5.2 nC  Siliconix / Vishay Gate Charge, Total 5.2 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 5.2 nC  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Gate Charge, Total 5.2 nC   Height 0.042" (1.07mm)  Siliconix / Vishay Height 0.042" (1.07mm)  MOSFET Transistors Height 0.042" (1.07mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Height 0.042" (1.07mm)   Length 0.124" (3.15mm)  Siliconix / Vishay Length 0.124" (3.15mm)  MOSFET Transistors Length 0.124" (3.15mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Length 0.124" (3.15mm)   Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 2  Siliconix / Vishay Number of Elements per Chip 2  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2   Number of Pins 8  Siliconix / Vishay Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type PowerPAK-SO-8  Siliconix / Vishay Package Type PowerPAK-SO-8  MOSFET Transistors Package Type PowerPAK-SO-8  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Package Type PowerPAK-SO-8   Polarization N-Channel  Siliconix / Vishay Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 1.3 W  Siliconix / Vishay Power Dissipation 1.3 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 1.3 W  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Power Dissipation 1.3 W   Resistance, Drain to Source On 0.23 Ω  Siliconix / Vishay Resistance, Drain to Source On 0.23 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.23 Ω  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.23 Ω   Temperature, Operating -55 to 150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating -55 to 150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Thermal Resistance, 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Vishay MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 5.2 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  Siliconix / Vishay Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  Siliconix / Vishay Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  Siliconix / Vishay Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  Siliconix / Vishay Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.124" (3.15mm)  Siliconix / Vishay Width 0.124" (3.15mm)  MOSFET 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    MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

    RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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    MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

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    MOSFET DUAL N-CH 100V (D-S)

    RoHS: Compliant

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    Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7922DN-T1-E3)

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    Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

    RoHS: Compliant

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    Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

    RoHS: Compliant

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    Dual N-Channel 100 V 0.195 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

    RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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    Dual N-Channel 100 V 0.195 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

    RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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    SI7922DN-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Module, 1.8 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212

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    MOSFET DUAL N-CH 100V (D-S)

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